Gebze’de bulunan TÜBİTAK BİLGEM Yarı İletken Teknolojileri Laboratuvarı (YİTAL) tasarım ekibi tarafından hazırlanan makale en iyi bildiri ödülüne layık görüldü.

Gebze’de bulunan TÜBİTAK BİLGEM Yarı İletken Teknolojileri Laboratuvarı (YİTAL) tasarım ekibi tarafından hazırlanan ‘HBT Modeling and X-Band Differential LNA Design with 0.25 µm SiGe-C BiCMOS Process’ başlıklı makale ‘22. Uluslararası Akdeniz Mikrodalga Sempozyumu 2023’ konferansında en iyi bildiri ödülüne layık görüldü.

ALICI-VERİCİ MODÜLLERİ MİLLÎ OLARAK ÜRETİLEBİLECEK

120 GHz’lik kesim frekansına sahip HBT transistör teknolojisinin modellenmesi ve modelin kullanılarak X-bant uygulamaları için Düşük Gürültülü Kuvvetlendirici (LNA) tasarımına dair yayınlanan makale YİTAL tasarım ekibinden Volkan Fenercioğlu, Engin Çağdaş, Hüseyin Anıktar ve YİTAL danışmanı Osman Palamutçuoğulları tarafından kaleme alındı. TÜBİTAK BİLGEM YİTAL tasarım ve üretim ekipleri tarafından özgün 0,25 µm 5 metal SiGe BiCMOS teknolojisi geliştirildi. Bu teknoloji sayesinde, yüksek frekans ve düşük dalga boyunda çalışarak çok küçük boyuttaki hedeflerin tespitine imkân veren, Türkiye’de kullanılan X-bant radarların alıcı-verici modülleri millî olarak üretilebilecek.

HABER: KÜBRA AKAR